Parameters of technology
| Parameter | Value |
| Thickness of dielectric layer | 5…50 (100) um |
| Material of dielectric layer | polyimide |
| Number of dielectric layers | ≤ 5 |
| Loss (tan δ) of polyimide (F=10 GHz) | 0.0008 |
| Dielectric constant (ε) | 3.6 |
| Thickness of conductor | 1…5 um |
| Min width of conductor | 5 um |
| Substrate | ALN, AlSiC, Al2O3, Si |
| Thickness of substrate | ≥0.25 mm |
Мы используем стандартные полупроводниковые технологии интегральных схем для проектирования и производства печатных плат. С помощью полупроводниковых технологий и использования микросхем без упаковки мы улучшаем параметры печатных плат. Мы уменьшаем размер проводников и микрополосков печатных плат и увеличиваем плотность печатных плат. В качестве подложки для печатной платы мы можем использовать материалы (ALN, AlSiC, SiC или металлы), которые улучшают теплопроводность. Для высоких частот параметры (er, tgδ) ALN, SiC лучше и стабильнее, чем параметры FR4, Rogers и так далее.Для простых печатных плат наша технология будет дорогостоящей, но она не будет дорогостоящей, если все захотят уменьшить размер многослойной печатной платы или увеличить различные параметры, такие как теплопроводность, влажность, высокочастотные параметры и т.д. Для диэлектрических слоев мы используем полиимид или другие материалы. Наши psb или модули, изготовленные по этой технологии, имеют рабочую температуру -200-220°C. Потери радиочастот меньше, чем в LTCC.
Wafer of RF board
